英飞凌起诉英诺赛科侵犯GaN专利
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中国知识产权律师网从路透社获悉,本周四,德国晶片制造商英飞凌(Infineon)表示,已就半导体技术专利在美国法院起诉中国公司英诺赛科(Innoscience)。
英飞凌表示,它正在寻求禁令救济,因为英诺赛思侵犯了其一项与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利,该技术对其GaN功率半导体至关重要。
有关本案的后续进展,中国知识产权律师网将持续关注。
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